C30B 13/00 - Выращивание монокристаллов зонной плавкой; очистка зонной плавкой (C30B 17/00 имеет преимущество; изменением поперечного сечения обрабатываемого твердого тела C30B 15/00; под защитной жидкостью C30B 27/00; для выращивания гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой C30B 28/00; зонная очистка особых материалов классифицируется в соответствующих подклассах для материалов) [3,5]

---

13/02

.

зонная плавка с растворителем, например способом перемещающегося растворителя [3]

13/04

.

гомогенизация зонным выравниванием [3]

13/06

.

с расплавленной зоной, не занимающей поперечное сечение полностью [3]

13/08

.

добавлением к расплавленной зоне кристаллизующегося материала или реагентов, образующих его непосредственно в процессе [3]

13/10

.

.

с добавлением легирующего материала [3]

13/12

.

.

.

в газообразном или парообразном состоянии [3]

13/14

.

тигли или сосуды [3]

13/16

.

нагревание расплавленной зоны [3]

13/18

.

.

нагревательным элементом, находящимся в контакте или погруженным в расплавленную зону [3]

13/20

.

.

индукцией, например нагревательными элементами (C30B 13/18 имеет преимущество; индукционные катушки H05B 6/36) [3]

13/22

.

.

облучением или электрическим разрядом [3]

13/24

.

.

.

с использованием электромагнитных волн [3]

13/26

.

перемешивание расплавленной зоны [3]

13/28

.

управление или регулирование (управление или регулирование вообще G05) [3]

13/30

.

.

стабилизация или управление формой расплавленной зоны, например с помощью концентраторов, с помощью электромагнитных полей; регулирование сечения кристалла [3]

13/32

.

механизмы для перемещения загрузки или нагревателя [3]

13/34

.

отличающееся затравочным кристаллом, например его кристаллографической ориентацией [3]